Semiconductores P y N

Semiconductores tipo P: Son semiconductores a los que se les dopó (añadió de manera voluntaria) impurezas PENTAVALENTES (elementos con 5 electrones de valencia), esto hace que al unirse en la red cristalina del silicio quedando un electrón sin enlace y provocando un hueco.

Semiconductores tipo N: Son semiconductores a los que se les dopó (añadió de manera voluntaria) impurezas TRIVALENTES (elementos con 3 electrones de valencia), esto hace que al unirse en la red cristalina del silicio se completen los 8 electrones y quede sobrando 1 electrón libre.

Cuando se junta un semiconductor tipo P y un semiconductor tipo N, los electrones libre y huecos se recombinan provocando iones negativos en la región P y iones positivos en la región N, provocando una «barrera de potencial» llamada Región de Agotamiento cuya magnitud depende del elemento semiconductor y a esto se le llama UNIÓN P-N.

Cuando la unión P-N se polariza Directamente se debe romper la barrera de potencial y se propicia un flujo de corriente eléctrico como de un conductor.

Cuando la unión P-N se polariza Inversamente se hace mucho mayor la barrera de potencial, evitando el flujo de electrones y actuando como un aislante.

Formando así un Diodo.